高品质磷化铟单晶片建设项目—4英寸高品质磷化铟单晶片改扩建项目项目基本概况（1）项目名称：高品质磷化铟单晶片建设项目—4 英寸高品质磷化铟单晶片改扩建项目（2）项目建设单位【已隐藏】（3）项目建设性质：项目为扩建。（4）项目地点【已隐藏】。（5）项目建设目标和任务：项目依托现有磷化铟晶片生产线，拟新增磷化铟单晶炉、多线切割机、全自动倒角打标系统、全自动抛光机、全自动清洗机等磷化铟关键生产设备 987 台（套），采用国际领先的 VGF 单晶生长技术和全自动抛洗技术，新增年产 20 万片（折合 4 英寸）磷化铟晶片的产能。（6）项目建设内容及规模：高品质磷化铟晶片是支撑国家新基建、数据中心与人工智能产业发展的关键战略材料。本项目对现有生产线实施系统性提质增效与智能化迭代升级，项目在现有 4 英寸磷化铟晶片产能基础上实施改扩建工程，新增单晶炉、数控滚磨机床、多线切割机、全自动倒角打标机、全自动减薄机、全自动抛光机、全自动清洗机、检测分析仪器等智能化核心工艺设备，配套升级水电气等公辅设施，新增年产 20 万片（折 4 英寸）磷化铟晶片产能。本次项目对现有 102 生产厂房二层 A/【已隐藏】进行适应性改造，面积 5488m2 ，【已隐藏】 1007m2，【已隐藏】 2329m2 以及 204 厂房二层、三层共计 5760m2，新增主要工艺设备、公辅设施 987 台（套）。项目建成后，新增年产 20 万片（折 4 英寸）磷化铟晶片产能。（7）建设工期：2026 年 4 月—2027 年 9 月，计划 18 个月完成，包含现有厂房与租赁厂房的适应性改造周期 3 个月。在厂房改造过程中，【已隐藏】线论证、设备调研选型订购及前期工作准备。（8）投资规模及资金来源：项目总投资 12,390.00 万元，其中：固定资产投资 9,924.00 万元、其中设备购置费 9, 129.00 万元，设备安装费 555.00 万元，工程建设其他费用 240.00 万元。项目资金来源为自有资金及金融机构【已隐藏】。项目建设单位【已隐藏】建设单位【已隐藏】通讯地址【已隐藏】联系人：【已隐藏】;  联系方式：【已隐藏】